به گزارش دیوان اقتصاد،جانگ‌بی لی، مدیر اجرایی محصولات و فناوری DRAM سامسونگ می‌گوید «با تولید این DRAM جدید مبتنی بر EUV، ما تعهد کامل خودمان به ارائه راهکارهای پیشرفته در حوزه DRAM و حمایت از مشتریان حوزه IT را به نمایش گذاشتیم».
او افزود «این پیشرفت مهم نشان می‎دهد ما از طریق توسعه زمانبند فناوری‌های پیشرفته پردازشی و محصولات آینده‌گرا در حوزه حافظه، تا چه حد بر نوآوری‌های صنعت جهانی IT تاثیرگذار هستیم».
سامسونگ اولین شرکتی است که از فناوری EUV برای تولید DRAM و با هدف فایق شدن بر چالش‌های مقیاس‎بندی DRAM استفاده می‌کند. فناوری EUV مراحل تکراری در الگوسازی‌های مکرر را از بین برده و دقت الگوسازی را تقویت می‎کند. این فناوری همچنین با فراهم کردن امکان تقویت عملکرد، بازدهی بالاتری داشته و به این ترتیب زمان توسعه محصول را کوتاه‌تر می‎کند. 
فناوری EUV بصورت کامل در نسل آینده DRAMهای سامسونگ استفاده خواهد شد و این روند با معرفی نسل چهارم حافظه‌های 10 نانومتری (Da1) یا DRAMهای 14 نانومتری فوق پیشرفته آغاز خواهد شد. انتظار می‎رود سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های DDR5 و LPDDR5 مبتنی بر D1a را در سال آینده آغاز کند. این کار می‎تواند بهره‌وری تولید ویفرهای 12 اینچی از حافظه D1x را تا دو برابر بیشتر کند. 
متناسب با توسعه بازار DDR5/LPDDR5 در سال آینده، سامسونگ همکاری خود با مشتریان اصلی حوزه IT و فروشندگان نیمه‌هادی‌ها را برای بهینه‌سازی تعریف استانداردها، تقویت کرده و در عین حال برای تسریع حرکت کل بازار حافظه به سمت DDR5/LPDDR5 تلاش خواهد کرد. 
ما همچنین به منظور تامین بهتر تقاضای فزاینده بازار برای حافظه‌های پیشرفته DRAM، یک خط تولید ثانویه نیمه‌هادی‌ها را در شهر پیونگ تائک کره‌جنوبی در نیمه اول امسال، راه‌اندازی خواهیم کرد. 

جدول زمانی تحولات مهم در تولیدات DRAM سامسونگ:
تاریخ    تحولات مهم در تولیدات DRAM سامسونگ
۲۰۲۱ (تاریخ دقیق مشخص نشده)    تولید انبوه نسل چهارم EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 ۱۰ نانومتری (1a)
مارچ ۲۰۲۰    توسعه نسل چهارم EUV-based DRAM  ۱۰ نانومتری (1a)
سپتامبر ۲۰۱۹    تولید انبوه نسل سوم  8Gb DDR4  ۱۰ نانومتری (1z)
ژوئن ۲۰۱۹    تولید انبوه نسل دوم 12Gb LPDDR5 ۱۰ نانومتری (1y)
مارچ ۲۰۱۹    توسعه نسل سوم 8Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (1z)
نوامبر ۲۰۱۷    تولید انبوه نسل دوم 8Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (1y)
سپتامبر ۲۰۱۶    تولید انبوه اولین نسل 16Gb LPDDR4/4X  ۱۰ نانومتری (1x)
فوریه ۲۰۱۶    تولید انبوه اولین نسل 8Gb DDR4 ۱۰ نانومتری (1x)
اکتبر ۲۰۱۵    تولید انبوه 12Gb LPDDR4 ۲۰ نانومتری (2z)
دسامبر ۲۰۱۴    تولید انبوه 8Gb GDDR5  ۲۰ نانومتری (2z)
دسامبر ۲۰۱۴    تولید انبوه 8Gb LPDDR4  ۲۰ نانومتری (2z)
اکتبر ۲۰۱۴    تولید انبوه 8Gb DDR4  ۲۰ نانومتری (2z)
فوریه ۲۰۱۴    تولید انبوه 4Gb DDR3  ۲۰ نانومتری (2z)
فوریه ۲۰۱۴    تولید انبوه 8Gb LPDDR4  ۲۰ نانومتری (2y)
نوامبر ۲۰۱۳    تولید انبوه  6Gb LPDDR3 ۲۰ نانومتری (2y)
نوامبر ۲۰۱۲    تولید انبوه   4Gb DDR3۲۰ نانومتری (2y)
سپتامبر ۲۰۱۱    تولید انبوه  2Gb DDR3۲۰ نانومتری (2x)
جولای ۲۰۱۰    تولید انبوه  2Gb DDR3۳۰ نانومتری
فوریه ۲۰۱۰    تولید انبوه 4Gb DDR3 ۴۰ نانومتری
جولای ۲۰۰۹    تولید انبوه 2Gb DDR3 ۴۰ نانومتری